Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия

Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допустимые рабочие температуры (до +200 °С).

• Гореев

• Технические науки. Промышленность