Проанализированы результаты исследований фоточувствительных структур фоторезисторов на основе PbS методами оже-электронной спектроскопии и растровой ионной микроскопии. Показана зависимость состава фоточувствительных структур и фотоэлектрических параметров от метода получения пленок. Впервые экспериментально получено и теоретически обосновано появление второй фазы (цианамида свинца и ацетата свинца) в составе химически осажденной пленки на основе сульфида свинца.