В работе проведена оценка термоэлектрической (ТЭ) добротности структуры, состоящей из частиц полупроводниковых материалов. Считается, что частицы связаны между собой физическими контактами, диаметр которых меньше диаметра частиц. Показано, что ТЭ-добротность структуры может в несколько раз превышать ТЭ-добротность сплошного термоэлектрического материала за счет туннелирования электронов от частицы к частице через вакуумные зазоры, прилегающие к физическому контакту. При увеличении ТЭ-добротности полупроводниковых структур в 2–4 раза ТЭ-системы охлаждения становятся конкурентными по отношению к компрессионным системам охлаждения.