Некоторые закономерности деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN

протяженные дефекты рабочие токи светодиоды светоизлучающие структуры синие светодиоды

Компания Philips Lighting придала новый облик главной достопримечательности Стамбула - Босфорскому мосту, Прощаться с лампами накаливания следует дольше, ...

Некоторые закономерности деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN Е.Д. <...> А.Ф. Иоффе РАН, ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника», Институт проблем технологии и микроэлектроники РАН Механизм деградации синих светодиодов (СД) на основе гетероструктур (ГС) типа InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ) и лазеров на этих материалах, изучается с 1992 г., но не выяснен до сих пор, и не выработана единая общепринятая модель деградационного процесса [1, 2]. <...> Это обусловлено уникальными структурными особенностями этих материалов, таких как высокая плотность дислокаций смешанного типа (выше 107 см–2) и высокие локальные напряжения на границах сросшихся доменов мозаичной структуры, типичной для этих материалов <...> Зависимости внешней квантовой эффективности синего светодиода (КЭ) отего тока (I) и плотности тока (J) после 0 ч (1), 146 ч (2), 486 ч (3) и 1000 ч (4) работы СД, проходившей при температуре кристалла 80 С и токе 60 мА (J = I /(300ƀ400) мкм) 30 ставляется, что ключ к пониманию указанного деградационного процесса может лежать в структурных особенностях указанного наноматериала, в многообразии форм его существования, обусловленных сложными процессами коалесценции и релаксации доменов мозаичной структуры. <...> В данной работе приведены экспериментально установленные закономерности деградации синих СД на основе InGaN/GaN и обсуждается участие в процессе деградации системы протяженных дефектов, включающей высокую плотность дислокаций и мозаичную структуру, пронизывающую активную область СД. <...> Эксперимент Светоизлучающие структуры (СС) на основе ГС типа InGaN/GaN с МКЯ на домининантную длину волны 460 нм были выращены на сапфировых подложках (0001) методом эпитаксии из металлорганических соединений на установке D-180 фирмы Veeco в ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника». <...> Исследование вышеуказанной деградации проводилось на СД с внешней квантовой эффективностью (КЭ) 8–20 % без линз (с линзами КЭ доходит до 30 % – среднего современного мирового уровня) при токах <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт