РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Ультрафиолетизлучающие диоды
Последние разработки в области УФизлучающих диодов делают возможным их использование во многих приложениях, начиная от УФ обеззараживания воды, воздуха, поверхностей, до обнаружения биоопасностей, осуществления связи вне зоны прямой видимости, применения в медицине, стоматологии и производственных процессах.
Авторы
Тэги
диоды
обеззараживание воды
обеззараживание воздуха
обеззараживание поверхностей
светодиоды
спектры излучения
ультрафиолетизлучающие диоды
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Типичные структуры УФД дальнеПоследние
разработки в области
УФизлучающих диодов (УФД) делают
возможным их использование во
многих приложениях, начиная отУФ
обеззараживания воды, воздуха, поверхностей,
до обнаружения биоопасностей,
осуществления связи
вне зоны прямой видимости, применения
в медицине, стоматологии и
производственных процессах. <...> Миниатюрность,
малое потребление
энергии, быстрота включения и выключения
с постоянной времени до
нескольких наносекунд делают УФД
прекрасной и экологически безопасной
альтернативой громоздким, дорогим
и опасным ртутным лампам –
традиционнымУФисточникам излучения. <...> УФ
излучение ртутных ламп используется
несколько десятков лет в
различных областях, включая стерилизацию
воздуха и поверхностей в
больницах, лабораториях и на предприятиях,
производящих продукты
питания. <...> Излучение в УФ-С области
спектра (100–290 нм) очень эффективно для уничтожения бактерий,
вирусов, дрожжей, грибков с максимумом
бактерицидной эффективности
на длине волны около 265 нм. <...> При этом обычно для достижения
бактерицидного эффекта используется
линия ртути 254 нм, генерируемая
ртутными лампами низкого давления. <...> Существует несколько очевидных
недостатков использования
УФ ртутных ламп. <...> УФД могут изготовляться из
AlInGaN материалов, используя современные
методы эпитаксиального
1 E-mail: Gaska@s-et.com Перевод с англ. <...> 38 выращивания полупроводников, типа
метода химического осаждения из
газовой (паровой) фазы металлоорганических
соединений (MOCVD), например. <...> Сплавы элементов III
группы могут, в зависимости от содержания
Al, менять ширину запрещенной
зоны в пределах, соответствующих
излучениям в видимой и УФ
областях спектра. <...> Ширина запрещенной
зоны AlN при комнатной
температуре 6,1 эв (что соответствует
длине волны 203 нм). <...> В2004 г. SETвпервые продемонстрировала
УФД с потоком излучения на
длине волны 280 нм свыше 1 мВт при токе менее 30 мА. <...> После этого УФД
дальнего УФ диапазона, производимые
SET, стали коммерческими <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: