Моделирование зависимости освещенности, создаваемой светодиодом, от расстояния

источники света освещенность светодиоды СД сила света

VII Международная светотехническая конференция, Определение размеров светящихся тел светодиодов, ...

МАННИНЕН 1 Институт метрологических исследований, Технологический университет Хельсинки, Центр метрологии и аккредитации, Финляндия Определение условий измерений оптических параметров светодиодов (СД) продолжает оставаться одним из центральных моментов работы некоторых технических комитетов МКО. <...> В [1, 2] представлены методы измерения положения СД для надежного определения их силы света. <...> Однако они предполагают необходимость точного знания радиуса излучающей зоны СД. <...> Настоящая статья посвящена рассмотрению некоторых ограничений обычного анализа с использованием модели точечного ИС и представлению улучшенного метода [3], который может использоваться для определения освещенности на разных расстояниях от СД. <...> Данный метод тесно связан с ранее проведенным анализом зависимости уровня сигнала от расстояния для фотометров [4] и спектрорадиометров [5–7], снабжнных диффузорами. <...> Метод позволяет также вычислять существенно неламбертовское направленное угловое распределение силы света СД. <...> Параметры модели могут быть определены из измерений освещенности на различных расстояниях от СД. <...> При приложении данного метода вместо метода по модели точечного ИСк результатам измерений статистический разброс зависимости наблюдаемой силы света СД от расстояния, доходивший до 50 %, снизился до менее чем 1 % для всех семнадцати типов испытанных СД [3]. <...> Анализ результатов приводит к заключению, что для расчетов освещенности от СД в широком диапазоне расстояний может использоваться точно определнная осевая сила света СД. <...> На разных расстояниях d были определены осевые силы света I v семнадцати разных типов СД. <...> Сначала было предположено, что измеренные освещенности Edv () подчиняются закону обратного квадрата расстояния по модели точечного ИС, Ed I v () a v,tip/chip ()2 dd Ch при отсчте расстояния от двух опорных плоскостей, проходящих, например, через передний конец СД («tip») (сдвиг hd = 0) и местоположение кристалла («chip») (hd <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт