Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твердых растворов
Цель работы состоит в нахождении механизмов и закономерностей процессов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия в стационарном и импульсном режимах. Исследования, результаты которых приводятся и обсуждаются в статье, проводились на кристаллах на основе InGaN/GaN гетероструктур с квантовыми ямами при работе в стационарном режиме и повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Деградация светодиодов на основе
гетероструктур нитрида галлия и его
твёрдых растворов <...> М.В. Ломоносова
Полупроводниковые структуры на
пы (GaN, основе нитридов элементов III груптивными
оптоэлектроннынения
типа AlN, InN, а также соедися
перспек AlGaN и InGaN) являютми
материалами с широким спектром
практических применений: активные
среды лазерных диодов, транзисторы,
голубые, зелёные и белые (люминофорные)
светодиоды (СД) и др.
етероструктур
в На сегодня развитие полупрогО
светодиодах на основе GaN
тодниковых оптоэлектронных уснитрида
галлия и его твёрдых растворов
идёт очень высокими темпами. <...> Рекордсменами здесь являются
разработки полупроводниковых ИС
на основе данных гетероструктур –
указанных выше СД. <...> .
Достигнутый уровень энергоэфетероструктур
Важной
особенностью СД служит
х то, что они через 50–100 тыс. ч не выАктуальность
темы
г исследования деградации GaN
онных ламп. <...> Набодят из строя, в отличие от традицитнотонное
снижение их светового пособую
актуальность.
ние гСтоит подчеркнуть, что в последого
снижения, т. е. деградании
пооснове нитрида галлия при протекастоянного
тока и в импульсоках
в стационарном и им–
исследование процессов деградации
полупроводниковых гетероструктур
при температурах, близких
к критической рабочей температуре
p-n-перехода.
шенных темпераве InGaN гетероструктур при повытурах;
людается
лишь мооценки
этока во времени. <...> При этом вопрос
оции СД, приобретает в таком случае
оды многие исследовательские
Цель этих работ состоит в нахождении
механизмов и закономерновстей
процессов деградации полупрольсном
режимах.
водниковых гетероструктур на оснои
импуе нитрида галлия в стационарном
Исследования, результаты которых
группы серьёзно занялись вопросами
деградации светодиодных гетероструктур
на основе GaN и его твёрдых
растворов. <...> Также
было предположено, что причиной
жёлтой полосы в спектрах люминесценции
нитрида галлия могут являться
дивакансии азота [3] и что с этим
связано <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: