РУАЭСТ (RUAEST)
MOSFET компании Infineon и их применение для драйверов светодиодных ламп
Современные светодиоды (СД) отличаются высокой световой эффективностью и длительным сроком службы, поэтому задача адекватного повышения эффективности и надежности систем питания полупроводниковых осветительных приборов является весьма актуальной. СД ретрофитных LED-ламп, линейных осветительных приборов и панелей, промышленных и уличных светильников обычно подключаются к сетям переменного тока при помощи импульсных преобразователей напряжения (ИП). Значений КПД распространенных ИП (70–80%) для достижения современных требований по энергоэффективности оказывается недостаточно. Основной вклад в потери преобразования вносят каскады на силовых биполярных и полевых транзисторах. В современных ИП малой и средней мощности в качестве силовых ключей в основном применяются полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET), от параметров которых в значительной степени зависит КПД подключаемых к сетям переменного тока приборов. Совершенствованием технологий производства MOSFET и улучшением их качественных параметров занимаются практически все ведущие производители полупроводниковых приборов.