Влияние переходных процессов в тонкопленочной гетероструктуре на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления

переходные процессы тонкопленочные гетероструктуры чувствительные элементы датчики давления тензорезисторные датчики тонкие пленки взаимодиффузия материалов

Проявление реологической наследственности сегнетокерамических материалов при спекании, Адаптация систем сбора данных к входным перегрузкам, ...

И. А. Аверин, И. В. Волохов, Е. А. Мокров, Р. М. Печерская ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА НАДЕЖНОСТЬ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ Рассматриваются переходные процессы в тонкопленочной гетероструктуре, механизм возникновения короткого замыкания из-за диффузии материала проводника в тонкую диэлектрическую пленку, оказывающие влияние на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления. <...> В реальных условиях время осаждения пленок резистивных сплавов из хрома и никеля, легированных алюминием, методом термического испарения в вакууме из вольфрамового испарителя составляет 40–45 с. <...> Учитывая, что толщины тонких резистивных пленок для чувствительных элементов тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления составляют около 100 нм, а процесс зарождения и образования островковой структуры ограничен условной толщиной пленок, равной 10–50 нм, весь процесс зарождения тонких пленок занимает доли секунды. <...> В объеме сформировавшихся сплошных пленок под воздействием внешних факторов возможно протекание процессов, связанных с неравновесным состоянием системы конденсат–подложка, обусловленным механическими напряжениями в тонкой пленке и подложке. <...> При наличии внешнего воздействия (например, деформация мембраны датчика с тонкопленочными тензорезисторами) эти напряжения релаксируют, что может привести к потере сплошности пленки. <...> В многокомпонентных тонких пленках протекают также твердофазные реакции, приводящие к изменению состава материала [1]. <...> Факторами, влияющими на свойства тонких ( 100 нм) резистивных пленок из сплава никеля и хрома (100 нм) на чувствительных элементах тензорезисторных датчиков давления, являются: – скорость осаждения тонких пленок; – время протекания процесса осаждения; – материал и температура подложки. <...> К факторам, определяющим нестабильность тонких резистивных пленок, относятся <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт