РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки/2011/№ 4/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Квантовый механизм образования нанокластеров в поверхностном слое металла с цепочкой микротрещин в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта

Предложен механизм образования нанокластеров в объеме микротрещины поверхностного слоя металла в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта. Основу механизма составляет представление об электронном обмене между наночастицами посредством диссипативного туннелирования с последующим образованием диполей. Показано, что эффективный модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя определяется соотношением между темпом туннельных переходов и частотой ультразвуковой волны.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
И. И. Артемов, В. Д. Кревчик, Н. П. Симонов КВАНТОВЫЙ МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ МЕТАЛЛА С ЦЕПОЧКОЙ МИКРОТРЕЩИН В УСЛОВИЯХ КАВИТАЦИОННОГО РЕЖИМА ЗВУКОКАПИЛЛЯРНОГО ЭФФЕКТА Аннотация. <...> Предложен механизм образования нанокластеров в объеме микротрещины поверхностного слоя металла в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта. <...> Основу механизма составляет представление об электронном обмене между наночастицами посредством диссипативного туннелирования с последующим образованием диполей. <...> Показано, что эффективный модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя определяется соотношением между темпом туннельных переходов и частотой ультрозвуковой волны. <...> Введение Теоретически исследован один из возможных механизмов образования нанокластеров в объеме микротрещин (МТ) поверхностного слоя металла в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта. <...> Данная ситуация повторяется с периодом ультразвуковой волны, в течение которого формируется кластер из НЧ в объеме МТ. <...> На этом этапе за счет температурной активации возникает процесс обмена электронами между НЧ посредством диссипативного туннелирования. <...> В результате происходит образование диполей и включается механизм диполь-дипольного взаимодействия НЧ между собой и с оборванными связями внутренней полости МТ за счет сил электростатического изображения, что приводит к образованию нанокластера. <...> При этом эффективный модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя Е* является функцией частоты S ультразвуковой волны и вероятности диссипативного туннелирования Г0: 192 4 (20), 2011 Технические науки. <...> Из формулы (1) видно, что величина Е* существенно зависит от соотношения между темпом туннельных переходов и частотой ультрозвуковой волны. <...> Для расчета 0Г использовался формализм квантового туннелирования с диссипацией в адиабатическом, квазиклассическом инстантонном <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: