Квантовый механизм образования нанокластеров в поверхностном слое металла с цепочкой микротрещин в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта
Предложен механизм образования нанокластеров в объеме микротрещины поверхностного слоя металла в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта. Основу механизма составляет представление об электронном обмене между наночастицами посредством диссипативного туннелирования с последующим образованием диполей. Показано, что эффективный модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя определяется соотношением между темпом туннельных переходов и частотой ультразвуковой волны.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
И. И. Артемов, В. Д. Кревчик, Н. П. Симонов
КВАНТОВЫЙ МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ
В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ МЕТАЛЛА С ЦЕПОЧКОЙ
МИКРОТРЕЩИН В УСЛОВИЯХ КАВИТАЦИОННОГО
РЕЖИМА ЗВУКОКАПИЛЛЯРНОГО ЭФФЕКТА
Аннотация. <...> Предложен механизм образования нанокластеров в объеме микротрещины
поверхностного слоя металла в условиях кавитационного режима
звукокапиллярного эффекта. <...> Основу механизма составляет представление об
электронном обмене между наночастицами посредством диссипативного туннелирования
с последующим образованием диполей. <...> Показано, что эффективный
модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя определяется
соотношением между темпом туннельных переходов и частотой ультрозвуковой
волны. <...> Введение
Теоретически исследован один из возможных механизмов образования
нанокластеров в объеме микротрещин (МТ) поверхностного слоя металла
в условиях кавитационного режима звукокапиллярного эффекта. <...> Данная ситуация
повторяется с периодом ультразвуковой волны, в течение которого формируется
кластер из НЧ в объеме МТ. <...> На этом этапе за счет температурной активации
возникает процесс обмена электронами между НЧ посредством диссипативного
туннелирования. <...> В результате происходит образование диполей и
включается механизм диполь-дипольного взаимодействия НЧ между собой и
с оборванными связями внутренней полости МТ за счет сил электростатического
изображения, что приводит к образованию нанокластера. <...> При этом эффективный
модуль Юнга наноструктурированной части поверхностного слоя
Е* является функцией частоты S ультразвуковой волны и вероятности диссипативного
туннелирования Г0:
192
4 (20), 2011
Технические науки. <...> Из формулы (1) видно, что величина Е* существенно зависит от соотношения
между темпом туннельных переходов и частотой ультрозвуковой
волны. <...> Для расчета 0Г использовался формализм квантового туннелирования
с диссипацией в адиабатическом, квазиклассическом инстантонном <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: