Методом электронографии на отражение в сочетании с послойным химическим травлением исследована структура границы раздела Pd-Si, подвергнутой термообработке в интервале температур 330 – 870 К. Показано, что на границе раздела фаз образуется переходный слой (ПС), состоящий из аморфной области и прилегающей к ней области упругодеформированного кремния нанометровых толщин. Общая толщина ПС определяется температурой термообработки. Предложена модель трехфазной аморфизации.