Установлено, что в зависимости от толщины (2–147 нм) пленок индия, температуры (473–873 К) и времени (0–120 мин) термообработки кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерены контактная разность потенциалов для пленок In, In2O3 и фото-ЭДС для систем In – In2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем In–In2O3. Предложена модель превращения пленок In, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения на контакте In–In2O3 носителей заряда и формирования оксида индия(III).