Впервые с помощью методов дифференциально-термического, рентгено-фазового и микроструктурного анализа, а также измерением микротвердости и плотности изучены фазовые равновесия в системе GeTe-Sb2Te3-Bi2Te3 по политермическим сечениям GeSbBiTe4-GeSb4Te7 и GeSbBiTe4-Ge2Sb2Te5, которые являются квазибинарными и частично квазибинарными разрезами. На основе исходных компонентов в разрезах были определены области твердых растворов. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GeSbBiTe4 и твердого раствора (GeSb4Te7)х(GeSbBiTe4)1-х установлено, что сплавы относятся к классу указанных полупроводников с п-типом проводимости.