АНИЗОТРОПНЫЙ РОСТ АЛМАЗОГРАФИТОВОГО КОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА В СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПЛАЗМЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ

Показана возможность селективного осаждения углеродного материала на участки подложки с различающейся электропроводностью, в условиях приложения потенциала к участку с большей электропроводностью. Определено, что исследованные алмазографитовые пленки обладают отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, при этом энергия активации проводимости изменяется в диапазоне 0,26–1,45 эВ, зависящем от толщины пленки. Это связывается с достижением порога перколяции.

• Маркин А.В.
• Нефёдов Д.В.
• Суздальцев С.Ю.
• Филимонов Ю.А.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Социальные (общественные) науки
• Естественные науки