Проведено исследование влияния температуры на скорость травления GaAs в смесях HCl/Ar, HCl/H2, HCl/Cl2. Найдены эффективные энергии активации процесса травления в смесях HCl/Ar, HCl/H2, HCl/Cl2. Значения энергий активации для всех газовых сред характерны для реакций, лимитируемых адсорбционно-десорбционными процессами на поверхности материала. Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси HCl/Ar. В смесях с H2 скорости травления слишком малы при хорошем качестве поверхности, а в смесях с Cl2 шероховатость поверхности превышает допустимые значения.