Проведено исследование плазмохимического травления GaAs в смесях HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 в условиях тлеющего разряда постоянного тока. Показано, что скорость травления GaAs при разбавлении HCl аргоном и водородом уменьшается быстрее, чем концентрация атомов хлора. В смесях HCl-Cl2 скорость травления проходит через максимум при содержании хлора порядка 75%. На возрастающем участке кривой скорость травления пропорциональна потоку атомов хлора, а после прохождения максимума лимитирующей стадией становится десорбция продуктов травления под действием ионной бомбардировки.