С использованием метода классической молекулярной динамики, была исследована причина образования алмазных кластеров в аморфном углероде под действием ионизирующего излучения. Показано, что активационный барьер перехода графитового кластера в алмазный будет иметь место только для кластеров с размером больше 14 нм, в то время как меньшие частицы могут быть получены только химической функционализацией графеносодержащих материалов, что хорошо согласуется с полученными экспериментальными данными.