ФОТОПРИЕМНИК С УПРАВЛЯЕМОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ НА ОСНОВЕ In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al-СТРУКТУР

В статье исследованы спектральная характеристика, кинетика фототока In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al-структур при различных напряжениях и проведен анализ факторов, влияющих на чувствительность структур металл–диэлектрик– полупроводник–диэлектрик–металл к воздействию электрического поля и подсветки с целью создания фотоприемника с управляемой чувствительностью. Обнаружено, что полученная структура In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al чувствительна к электрическому полю и подсветке и на основе этих структур можно создать высокочувствительный фотоприемник с управляемым электрическим полем.

• Зейналова Ш.Г.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Естественные науки
• Технические науки. Промышленность
• Физико-математические науки