Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdS/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик

гетероструктуры Cd/Si (p) вольт-фарадные характеристики фотоэлектрические преобразователи поверхностные состояния

Численный метод решения нелинейной краевой задачи на собственные значения для электромагнитных ТМ-волн, распространяющихся в слое с произвольной нелинейностью, Дифракция упругой волны на слое с фрактальным распределением плотности, ...

В. В. Трегулов СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ CdS/Si(p) НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Аннотация. <...> Представлен способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах по частотной зависимости вольт-фарадных характеристик для случая, когда заряд поверхностных состояний зависит от приложенного напряжения постоянного смещения. <...> Приведены результаты исследования гетероструктуры CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения. <...> Введение В настоящее время гетероструктуры CdS/Si(p) широко применяются в солнечной энергетике в качестве фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). <...> По таким параметрам, как низкая стоимость, отношение мощности к массе, гетероструктурные ФЭП успешно конкурируют с традиционными кремниевыми солнечными элементами на основе обычных p–n-переходов. <...> В то же время на электрофизические характеристики гетероструктур существенное влияние оказывает наличие дефектов на гетерогранице. <...> При этом на гетерогранице возникают поверхностные состояния с глубокими энергетическими уровнями (ГУ), которые являются центрами рекомбинации носителей заряда и способствуют снижению контактной разности потенциалов гетероструктуры, что приводит к ухудшению эффективности преобразования ФЭП [1]. <...> Таким образом, определение плотности поверхностных состояний в гетероструктурах является актуальной задачей. <...> Для исследования характеристик гетероструктур широко используется метод измерения вольт-фарадных характеристик (ВФХ). <...> Физика =ε + ε ; C – емкость гетероперехода; q – заряд электрона; 0ε – диэлектрическая постоянная, nε и pε – диэлектрические где Bq2 npN Nам дм () 1 проницаемости полупроводников п- и p-типа соответственно; дмN и амN – концентрация мелкой донорной и акцепторной примеси в этих полупроводниках; dV – контактная разность потенциалов; V – постоянное обратное напряжение смещения; SSQ – заряд, сосредоточенный <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт