Влияние облучения гамма-квантами на свойства p-n-переходов на основе GaAsЕрмаков М.С.,Булярский С.В.
|
|
Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубкахЕрмаков М.С.,Булярский С.В.,Вострецова Л.Н.
|