Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубках

углеродные нанотрубки вольт-амперные характеристики нанотрубки полупроводниковые нанотрубки энергетические параметры скорость рекомбинации электронные состояния плотность состояний перенос тока

Гомотопически устойчивый аналог симплициального объекта, Кинетика фотопроводимости при возбуждении высокочастотными импульсами, ...

С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, М. С. Ермаков ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ Аннотация. <...> Найдены выражения для концентрации электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости (валентной зоне) для полупроводниковой нанотрубки. <...> Из приведенной скорости рекомбинации определены параметры энергий локальных состояний, участвующих в процессе переноса тока. <...> Ключевые слова: плотность состояний, полупроводниковая углеродная нанотрубка, концентрация электронов (дырок), энергия локальных состояний, вольт-амперная характеристика, приведенная скорость рекомбинации. <...> The article investigates a current – voltage characteristic of the semiconductor carbon nanotube. <...> Теоретические и экспериментальные исследования электрических и магнитных свойств нанотрубок обнаруживают ряд эффектов, указывающих на квантовую природу переноса заряда. <...> В данной работе будет показано, что из обобщенной модели рекомбинации <...> [9] можно получить ступенчатое возрастание тока от напряжения при увеличении напряжения смещения на образце. <...> Приведенная методика анализа ВАХ УНТ апробируется на углеродной однослойной полупроводниковой нанотрубке с хиральностью (16,0), экспериментальные вольт-амперные характеристики которой, приведены в работе [16]. <...> Эти особенности связаны либо с включением в процесс рекомбинации еще одного центра рекомбинации, либо с перезарядкой многозарядного центра, либо подключением иных, указанных выше, механизмов транспорта, также связанных с локальными состояниями в запрещенной зоне полупроводника. <...> Поволжский регион Предложенный способ нахождения параметров локальных состояний заключается в следующем. <...> 206 . Тогда выражение (1) принимает вид 1 – параметр, характеризующий скорость эмиссии дырок; N c , N v – плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне; in – собственная концентрация носителей; <...> Физика Пусть вероятность туннелирования определяется как <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт