Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InPМармалюк А.А.,Будтолаев А.К.,Горлачук П.В.,Ладугин М.А.,Рябоштан Ю.Л.,Хакуашев П.Е.,Чинарева И.В.,Яроцкая И.В.
Прикладная физика, 2016, 1, С. 79-84
|