ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В ГРАДИЕНТНОМ ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ

Осуществлен анализ особенностей процесса термомиграции жидких зон в кристалле для формирования полупроводниковых материалов с заданной субструктурой, в сравнении с методом диффузии. Учтены главные факторы, определяющие и сопровождающие процесс термомиграции жидкого включения в кристалле. Выявлены и описаны геометрические, концентрационные, температурновременные и другие условия, при которых выбор эффекта термомиграции в качестве метода локального легирования предпочтителен. Показано, что метод термомиграции обладает значительными преимуществами, в частности, возможностями снижения температуры процесса легирования, увеличения его скорости, повышения однородности распределения легирующей примеси и улучшает кристаллическое совершенство легированных слоёв. Количественные оценки, связанные с выявленными условиями, даны на примере системы алюминий – кремний

• Ануфриева В.В.
• Баранник А.А.
• Благин В.А.
• Лозовский В.Н.
• Лунина М.Л.
• Середин Б.М.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Технические науки. Промышленность