ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МОРФОЛОГИИ НАНОКЛАСТЕРОВ Ge/Si (100), ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ, ОТ УСЛОВИЙ РОСТА

Вследствие огромных перспектив использования наногетероструктур с квантовыми точками в современном приборостроении, возникает повышенный интерес к изучению способов и условий их формирования. Проведено исследование зависимости параметров морфологии нанокластеров Ge, выращенных на поверхности Si (100) методом ионно-лучевого осаждения, от параметров ростового процесса. Выявлены зависимости формы и размеров наноструктур от температуры, времени осаждения и параметров ионного пучка

• Кулешов Д.С.
• Лапин В.А.
• Малявин Ф.Ф.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Технические науки. Промышленность