РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки/2013/№ 5/

ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x

Приведены результаты измерений вольт-фарадных характеристик для структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x. Определялись концентрации легирующей примеси в активном слое гомо- и гетероструктур; высота потенциального барьера на p-n-переходе; толщины p-n-перехода; величины напряженности электрического поля в p-n-переходе; параметры глубоких примесных уровней по изменению во времени емкости p-n-перехода. По полученным данным определялось влияние содержания AlN в твердых растворах на параметры структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: