РАСЧЕТ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР А3В5 ДЛЯ ЗАДАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Проводится исследование модуляции коэффициентов отражения и поглощения в системе туннельно-связанных квантовых ям Al0,3Ga0,7As/GaAs в условиях экситонного резонанса. Установлено, что подбором соответствующих входных параметров квантоворазмерных структур (показателей преломления, резонансных частот, угла падения света на структуру, толщин слоев, величин радиационного и нерадиационного затухания) можно добиться получения структур с заданными свойствами – структур, которые на определенных частотах будут работать либо на отражение, либо на пропускание света

• Благин А.В.
• Благина Л.В.
• Лозовский С.В.
• Драка О.Е.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Технические науки. Промышленность