КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПОЛОЖЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ В ВОЛНОВОДЕ

Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследована зависимость ключевых характеристик полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) от положения квантоворазмерной активной области в области волновода.

• Матюхин С.И.
• Козил З.Ж.
• Магомедов Г.Р.
• Малый Д.О.
• Ромашин С.Н.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Технические науки. Промышленность
• Физико-математические науки