КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПОЛОЖЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ В ВОЛНОВОДЕ
Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследована зависимость ключевых характеристик полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) от положения квантоворазмерной активной области в области волновода.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: