ЗАВИСИМОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ АЛЮМИНИЯ В ОБЛАСТИ ВОЛНОВОДА И ЭМИТТЕРОВ

Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследовано влияние концентрации алюминия в волноводной и эмиттерных областях полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) на его вольтамперную и ватт-амперную характеристики.

• Матюхин С.И.
• Козил З.Ж.
• Магомедов Г.Р.
• Малый Д.О.
• Ромашин С.Н.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Технические науки. Промышленность
• Физико-математические науки