Методом импедансной спектроскопии исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электрического сопротивления от температуры и частоты тестового сигнала для образцов твердых растворов сегнетоэлектрической керамики (Ва,Sr)TiO3. Определена энергия активации процессов проводимости и диэлектрической релаксации. Установлены области температур в параэлектрической фазе образцов, где имеет место положительный температурный коэффициент сопротивления (ПТКС). На основе модели Хейванга произведен расчет плотности электронных состояний на границе кристаллитов