ПЕРЕХОДНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И КРУТИЗНА НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХТОНКИМ ОСНОВАНИЕМ

Рассматриваются физические основы работы нано-МОП транзисторов со сверхтонким основанием. Выведены аналитические выражения для переходных вольтамперных характеристик и крутизны. Приведены рассчитанные зависимости Ic = Ic(Vзи) и S = S(Vзи) для нано-МОП транзисторов со структурой n++-n-n++.

Авторы

Тэги

нано-МОП транзистор структура КНИ транзистора ультратонкое основание вольтамперная характеристика крутизна

Тематические рубрики

Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

Предметные рубрики

В этом же номере:

ПРОБЛЕМА УСТОЙЧИВОСТИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДВУХ СВЯЗАННЫХ КОНТУРОВ С КОНДУКТИВНОЙ СВЯЗЬЮ. НЕРАВЕНСТВО ВАЖЕВСКОГО, ПРОЦЕСС ВОЗВРАТА ПРИ ПЕРВИЧНОЙ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ АЛЮМИНИЯ, ...

Резюме по документу**

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

ПЕРЕХОДНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И КРУТИЗНА НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХТОНКИМ ОСНОВАНИЕМ

Помощь:

Участники: