МОДЕЛЬ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА ДЛЯ АНАЛИЗА СХЕМ ГЕНЕРАЦИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ

Проведен анализ методов моделирования диодов с накоплением заряда. Показана необходимость учета влияния токов утечки заряда из активной области и образованного ими «паразитного» заряда, накапливающегося в легированных областях диода, на процесс быстрого восстановления его обратного сопротивления. Разработана модель диода с накоплением заряда, с учетом основных нелинейных процессов в режиме генерации сверхкоротких импульсов

• Бобрешов А.М.
• Усков Г.К.
• Степкин В.А.
• Китаев Ю.И.

• Искусство. Декоративно-прикладное искусство. Фотография. Музыка. Игры. Спорт

• Естественные науки
• Физико-математические науки