РУАЭСТ (RUAEST)
-
ОРНИТОФАУНА САНКТ-ПЕТЕРБУРГА
-
Ребенка нельзя починить
-
РЕПАРАЦИЯ ДНК В СОСТАВЕ ХРОМАТИНА
-
ВКЛАД ЭВОЛЮЦИОННОЙ ФИЗИОЛОГИИ В РАЗВИТИЕ КЛИНИЧЕСКОЙ СОМНОЛОГИИ. К 90-ЛЕТИЮ ОСНОВАТЕЛЯ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ШКОЛЫ ЭВОЛЮЦИОННОЙ СОМНОЛОГИИ И.Г. КАРМАНОВОЙ (1925–2005) Г.А. Оганесян, Е.А. Аристакесян , Е.С. Титков,
-
ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
Актуальность и цели. В полупроводниках и полупроводниковых соединениях образуются комплексы дефектов. Эти комплексы имеют квазимолекулярную структуру. В таких структурах возможны локальные колебания по типу щелочно-галлоидных кристаллов. В этом случае имеет место сильное электрон-фононное взаимодействие, которое существенно изменяет вероятность перехода. В научной литературе данные эффекты в большинстве случаев не учитываются, что приводит к расхождению теоретических и экспериментальных результатов. Цель данной статьи – показать важный вклад электронфононного взаимодействия и продемонстрировать теоретически и экспериментально методику его оценки Материалы и методы. В работе приводятся результаты квантовомеханических расчетов вероятности электронно-колебательного перехода, проводится моделирование вероятности перехода в зависимости от параметров форм-функции электронного перехода, а также сопоставление теоретических расчетов с экспериментальными результатами. Сочетание таких подходов приводит к высокой достоверности результатов. Эксперимент выполняется на важном для современной техники материале – GaAs. Это повышает актуальность данной работы. Результаты. Теоретически и экспериментально показано, что электронфононное взаимодействие увеличивает вероятность электронных переходов с участием глубоких уровней. В работе получено выражение для вероятности электронно-колебательного перехода. Данная вероятность представляет сверку чисто электронного перехода с выражением для форм-функции оптического перехода, характеризующей электрон-фононное взаимодействие. Показано, что с увеличением дисперсии этой функции вероятность перехода возрастает. Выводы. Экспериментально и теоретически показано, что электронфононное взаимодействие оказывает определяющее влияние на формирование обратных токов на основе арсенида галлия.