РУАЭСТ (RUAEST)
ВЛИЯНИЕ МЕХАНИЗМА РЕЛАКСАЦИИ ИМПУЛЬСА ЭЛЕКТРОНОВ НА ФОТОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ В КВАНТОВОЙ ПРОВОЛОКЕ
Актуальность и цели. Эффект фотонного увлечения носителей тока несет ценную информацию о зонной структуре и механизмах релаксации импульса носителей заряда в полупроводниках. Модификация электронного энергетического спектра в условиях наложения размерного и магнитного квантования открывает новые возможности для управления процессом рассеяния носителей заряда, и тем самым, эффектом фотонного увлечения. Это актуально, поскольку данный эффект может быть использован для разработки детекторов лазерного излучения. Цель данной работы состоит в теоретическом исследовании влияния как внешнего продольного магнитного поля, так и различных механизмов рассеяния электронов в квантовой проволоке: рассеяние на краевой дислокации, на продольных LA-фононах, на системе короткодействующих примесей, на характер спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения Материалы и методы. Удерживающий потенциал квантовой проволоки моделировался потенциалом двумерного гармонического осциллятора. Для расчета плотности тока фотонного увлечения использовался метод кинетического уравнения Больцмана, записанного в приближении времени релаксации. Кривые спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения в квантовой проволоке при наличии внешнего магнитного поля построены для случая квантовой проволоки на основе GaAs. Результаты и выводы. Форма пиков в дублете Зеемана в спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения в квантовой проволоке существенно зависит от механизма рассеяния носителей заряда. Показано, что на температурной зависимости плотности тока фотонного увлечения имеется максимум, который с ростом величины внешнего магнитного поля смещается в область более высоких температур.