Ионный транспорт заряда в газочувствительных наноструктурированных слоях диоксида олова
Представлены результаты исследований электрических характеристик газочувствительных структур на основе тонкопленочных слоев диоксида олова.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
1
ИОННЫЙ ТРАНСПОРТ ЗАРЯДА В ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СЛОЯХ ДИОКСИДА ОЛОВА
(1Саратовский государственный технический университет,
2Саратовский государственный университет)
e-mail: simakov@sstu.ru
Предложенная модель качественно описывает экспериментально наблюдаемые
вольтамперные характеристики газочувствительных структур на основе тонких пленок
диоксида олова и зависимость сопротивления образцов от приложенного напряжения. <...> Результаты модельных расчетов позволяют оценить диапазон измерительных напряжений,
при которых вольтамперная характеристика газочувствительных материалов
имеет линейный характер, подходящий для приборного применения. <...> Ключевые слова: тонкие пленки, диоксид олова, газочувствительная структура, вольтамперная
характеристика
Тонкопленочные слои оксидов металлов
широко используются для создания химических
сенсоров резистивного типа [1] (хеморезисторов),
использующих для детектирования газов эффект
влияния адсорбированных частиц газа на сопротивление
активного слоя. <...> Высокая чувствительность
оксидных слоев к различным газам обычно
достигается при повышенных температурах, способствующих
увеличению подвижности ионосорбированных
частиц на поверхности слоя [2]. <...> При повышенных температурах
в сильных электрических полях, ионный
перенос заряда адсорбированными частицами газа
по поверхности активного слоя может оказывать
существенное влияние на сопротивление сенсора. <...> Исследования особенностей смешанного
(ионного и электронного) транспорта заряда в газочувствительных
структурах с микронными и
субмикронными размерами и их вольтамперных
характеристик открывает перспективу создания
газовых сенсоров и систем распознавания многокомпонентных
газовых смесей нового поколения,
основанных на использовании эффекта влияния
поверхностного ионного переноса на электрофизические
параметры активного слоя сенсора. <...> В работе представлены результаты <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: