Кинетика атомно-молекулярных реакций и концентрации нейтральных частиц в плазме HCI, его смесях с хлором и водородом
Работа посвящена изучению механизмов физико-химических процессов, определяющих стационарные концентрации активных частиц плазмы и их потоки на обрабатываемую поверхность.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
А.М. Ефремов, В.И. Светцов, А.В. Юдина, С.С. Лемехов
КИНЕТИКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫХ РЕАКЦИЙ И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ
ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ HCL ЕГО СМЕСЯХ С ХЛОРОМ И ВОДОРОДОМ
(Ивановский государственный химико-технологический университет)
e-mail: efremov@isuct.ru
Проведено исследование стационарного состава плазмы в смесях HCl/Cl2 и HCl/H2
переменного состава в условиях тлеющего разряда постоянного тока (р = 30–250 Па,
ip=10-30 мА). <...> Найдено, что баланс нейтральных частиц в значительной степени формируется
атомно-молекулярными процессами. <...> Показано, что добавки Cl2 или H2 к хлоровододороду
до 20% не приводят к существенным изменениям электрофизических параметров
плазмы, но вызывают неаддитивные изменения концентраций нейтральных частиц. <...> Ключевые слова: плазма, моделирование, диссоциация, скорость, концентрация
ВВЕДЕНИЕ
Низкотемпературная газоразрядная плазма
хлорсодержащих газов нашла широкое применение
в технологии микро- и наноэлектроники при
проведении процессов «сухого» травления и очистки
поверхности полупроводниковых пластин и
функциональных слоев [1, 2]. <...> Известно, что при
разряде в HCl имеют место более низкие концентрации
атомов хлора по сравнению с плазмой Cl2
[3, 4], что дает преимущество в анизотропии и селективности
процесса при незначительной потере
в скорости травления. <...> Кроме этого, плазма HCl
позволяет получать полирующее травление GaAs
за счет химических реакций атомов водорода [1,
5]. <...> Тем не менее, полноценное технологическое
использование плазмы HCl затруднено недостаточной
изученностью механизмов физикохимических
процессов, определяющих стационарные
концентрации активных частиц плазмы и
их потоки на обрабатываемую поверхность. <...> Целью данной работы является исследование
скорости и механизмов процессов, формирующих
стационарный состав плазмы HCl, а также
смесей HCl/Cl2 и HCl/H2 переменного состава. <...> В качестве
внешних (задаваемых) параметров разряда выступали
ток разряда (ip = 20 мА), давление газа (р =
30–250 Па) и расход <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: