Электронно-энергетическая структура GaN при замещении атомов галлия атомами титана или цинка

Расчетная схема на основе теории функционала плотности с полной оптимизацией геометрии, модифицированная на случай структур с трансляционной симметрией, применена к исследованию энергетического спектра электронов и магнитных характеристик гексагонального нитрида галлия и структур YxGa1–xN (Y: донорная (Ti) или акцепторная (Zn) примесь). Обсуждена зависимость от концентрации допантов релаксационных смещений внедренных атомов, положения уровня химического потенциала, границ энергетических зон, ширины валентных зон и энергий, отвечающих внутризонным максимумам плотности состояний.

• Литинский А.О.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Физико-математические науки
• Естественные науки