КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ

высокотемпературная сверхпроводимость компьютерное моделирование.

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, ЗАПОЛНЕННЫХ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ДИЭЛЕКТРИКОВ И МЕТАЛЛОВ, О РОЛИ ФУНКЦИИ ИСТОЧНИКА ПРИ ФОРМУЛИРОВКЕ ОБОБЩЕННОГО ПРИНЦИПА МАКСИМУМА ДЛЯ УРАВНЕНИЯ ТИПА ТУРБУЛЕНТНОЙ ФИЛЬТРАЦИИ, ...

Д о н ц о в а КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ Рассмотрены подходы к моделированию высокотемпературных сверхпроводников с учетом их дефектов. <...> Проведено компьютерное моделирование качества сверхпроводящих свойств в целях получения данных о допустимых параметрах распределения кристаллических дефектов, при которых гарантируется критический ток. <...> Полученные данные можно использовать для управления процессом получения сверхпроводника с гарантированным качеством его сверхпроводящих свойств. <...> Новые материалы получили название высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), поскольку температуры их перехода в сверхпроводящее состояние существенно выше, чем у предшествующих им типов сверхпроводящих материалов. <...> Нужно научиться производить из них длинные провода с большим критическим током (максимальным током, протекание которого не вызывает рассеяния энергии в сверхпроводнике). <...> Наличие у металлооксидных керамик сверхпроводящих свойств на первый взгляд, очень необычно. <...> Такой тип сверхпроводников состоит из металлических оксидов (например, оксидов бария BaO, иттрия Y2O3 и меди CuO). <...> Как и керамика из глины2, высокотемпературная керамика получается в результате смешения кристаллов металлических оксидов. <...> Эксперименты показывают, что в “хорошей” (со сравнительно высоким критическим током) керамике межгранульные границы также 1Авторы этой модели сверхпроводимости — американские физики Джон Бардин, Леон Нил Купер и Джон Роберт Шриффер также были удостоены Нобелевской премии в 1972 г. 2Глина состоит из мельчайших кристаллов горных пород, преобладают: каолинит Al4[Si4O10](OH)8, оксид кремния SiO2 и оксид алюминия Al2О3. <...> 2 показаны возможные варианты разориентации соседних кристаллов, что приводит к ухудшению межгранульных границ. <...> Соответствующий угол поворота Θ называют углом разориентации кристаллов (см. рис. <...> К таким дефектам можно отнести дислокации, т.е. дефекты <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт