РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Инженерный журнал: наука и инновации/2013/№ 6/
В наличии за
50 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах

Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при сильнополевой инжекционной модификации, проводимой при различных режимах инжекции. Выполнена оценка временной и температурной стабильности зарядового состояния диэлектрической пленки после модификации. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик приборов с такой структурой. Предложен способ модификации электрофизических характеристик МДП-структур путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока. Способ позволяет непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры. Показано, что для получения приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200 °C.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 621.38.53 Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах B.В. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе термической пленки SiO2 , легированной фосфором, при сильнополевой инжекционной модификации, проводимой при различных режимах инжекции. <...> Выполнена оценка временной и температурной стабильности зарядового состояния диэлектрической пленки после модификации. <...> Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2 -ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик приборов с такой структурой. <...> Предложен способ модификации электрофизических характеристик МДП-структур путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока. <...> Как было показано [1–3], в качестве таких диэлектрических пленок можно использовать многослойный диэлектрик на основе термической двуокиси кремния, пассивированной слоем фосфорно-силикатного 1 B.В. <...> Пленка ФСС толщиной от нескольких единиц до нескольких десятков нанометров в таких структурах обычно формируется путем легирования термической пленки SiO2 [1, 4–7]. <...> Все это обуславливает необходимость комплексного и всестороннего исследования технологического процесса легирования пленки SiO2 и самой структуры SiO2 — ФСС с целью оптимизации параметров диэлектрической пленки, необходимой для МДП-приборов с инжекционной модификацией параметров. <...> В данной работе проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе термической пленки SiO2 , легированной <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014