Подготовка исходного сырья для роста слитков мультикристаллического кремния

легированный мышьяком кремний испарение вакуумный отжиг кристаллизационная очистка мультикристаллический кремний.

Надежность автомобильных электронных компонентов в условиях воздействия знакопеременных нагрузок, Улучшение проходимости, плавности хода и управляемости летательных аппаратов и транспортных средств с регулируемым комбинированным шасси на воздушной подушке, ...

УДК 53.088 Подготовка исходного сырья для роста слитков мультикристаллического кремния И. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Описан один из вариантов процесса очистки кремниевого сырья, сильно легированного мышьяком. <...> Приведены результаты теоретического расчета эффективности предложенного метода, сочетающего процесс высокотемпературного вакуумного отжига с последующей кристаллизационной очисткой при выращивании кристаллов методом Чохральского. <...> Представлена методика использования данного метода при подготовке загрузок для роста слитков мультикристаллического кремния. <...> Развитие солнечной энергетики существенно ужесточило требования к исходному кремнию, так называемому SoG-Si (Solar grade Silicon). <...> Применяемые в качестве исходных материалов различные виды кремния, как правило, содержат высокие уровни концентрации легирующих примесей, наиболее распространенными из которых являются мышьяк и фосфор (n-тип), бор (p-тип). <...> Без дополнительной переработки эти материалы не могут быть использованы для выращивания слитков мультикристаллического кремния — одного из основных материалов для производства фотоэлектрических преобразователей (солнечных батарей). <...> Поэтому главной задачей в получении SoG-Si является уменьшение концентрации легирующих примесей в процессе переработки используемых исходных материалов (отходов электронной промышленности, отходов резки кристаллов после выращивания методом Чохральского и частей слитков после направленной кристаллизации). <...> В ряде работ [1–3] для этого использовали метод очистки расплава кремния путем облучения его поверхности электронно-лучевой 1 И.С. Кутовой, И.Н. Радченко пушкой в условиях вакуума (на уровне 51 20 Па), при котором примеси, обладающие большим коэффициентом испарения, выводятся из расплава. <...> Подобная ситуация позволила предположить [4], что одностадийный процесс очистки исходного кремния не всегда позволяет достичь требований для SoG-Si в связи с <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт