РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Инженерный журнал: наука и инновации/2014/№ 8/
В наличии за
100 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве

Разработан способ выращивания кристаллов для метода направленной кристаллизации с помощью перемещения осевого температурного поля без перемещения образца или нагревателя. Управление осевым тепловым потоком, обеспечивающим оддержание постоянной скорости кристаллизации, осуществляется с помощью двух нагревателей по данным расположенных на оси термопар над и под кристаллом. Управление всеми параметрами процесса кристаллизации в режиме реального ремени осуществляется с помощью разработанного универсального компьютерного интерфейса. Интерфейс отображает температуру на нагревателях и образце, скорость ее изменения на всех этапах процесса роста, управляющие коэффициенты, мплитуду, частоту и спектр дискретного преобразования Фурье подводимых механических возмущений (ускорений), угол отклонения оси роста кристалла от направления вектора гравитации. Установка позволяет проводить эксперименты по изическому моделированию процессов тепломассопереноса при выращивании полупроводниковых кристаллов.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 519.63 Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве В. <...> А.В. Шубникова РАН НИЦ «Космическое материаловедение», Калуга, 248640, Россия 2 КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Разработан способ выращивания кристаллов для метода направленной кристаллизации с помощью перемещения осевого температурного поля без перемещения образца или нагревателя. <...> Управление осевым тепловым потоком, обеспечивающим поддержание постоянной скорости кристаллизации, осуществляется с помощью двух нагревателей по данным расположенных на оси термопар над и под кристаллом. <...> Интерфейс отображает температуру на нагревателях и образце, скорость ее изменения на всех этапах процесса роста, управляющие коэффициенты, амплитуду, частоту и спектр дискретного преобразования Фурье подводимых механических возмущений (ускорений), угол отклонения оси роста кристалла от направления вектора гравитации. <...> В работе [1] показана принципиальная возможность выращивания в космических условиях кристаллов с высокой однородностью свойств. <...> Однако реализовать особенности космических условий в наземных экспериментах можно только для тщательно выверенной физической модели, позволяющей выявить и изучить особенности тепломассопереноса (ТМП) в исследуемой системе, а также найти способы управляющего воздействия на ТМП в условиях пониженной интенсивности термогравитационной конвекции [2–4]. <...> Проведенные нами исследования на физической модели, разработанной для условий реальных экспериментов, в которой были рассчитаны скорости конвективного течения (интенсивности термогравитационной конвекции) и градиенты температуры, показали, что для данного метода при радиальном градиенте T R 1.. <...> 2 C/см скорость на поверхности расплава составляет 0,15 см/с, а вблизи границы раздела фаз (при плоской изотерме фронта кристаллизации) — 0,00072 см/с. <...> В.С. Сидоров, В.И. Стрелов, И.Ж. Безбах, О.В. Крицкий, И.Н. Радченко <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014