Вечнозеленый полупроводник

полупроводники химия полупроводников кристаллография карбид кремния SiC полупроводниковые приборы кремний

Отцы и дети в физиологии клетки, Оздоровление в холодильнике, ...

Вечнозеленый полупроводник О чем эта статья Промышленный интерес к полупроводникам возник после обнаружения <...> Взоры исследователей обратились к кремнию и карбиду кремния (SiC). <...> В последующие 1015 лет было выполнено много работ, посвященных исследованию свойств SiC и разработке полупроводниковых приборов на его основе. <...> Чистые кристаллы SiC (благодаря ширине запрещенной зоны > 3 эВ) бесцветны. <...> Первые кристаллы SiC обнаружил Генри Муассан (тот самый, который в 1886 году открыл фтор) при исследовании метеоритов в каньоне Дьявола (Diablo Canyon) в Аризонской пустыне. <...> Оказалось, что образцы SiC могут иметь различную кристаллическую структуру кубическую (3СSiC), гексагональную (2H-SiC, 4H-SiС, 6H-SiC и др. nН-SiC), ромбоэдрическую (15 R, 21 R и др.) (рис. <...> Первые выращенные кристаллы SiC часто представляли собой сростки кристаллов различных политипов. <...> Таким образом, два важнейших для полупроводниковой электроники явления электролюминесценция и выпрямительные свойства pn-структур были впервые обнаружены на кристаллах SiC. <...> Было установлено, что карбид кремния представляет собой полупроводник с непрямой зонной структурой. <...> Это означает, что вероятность излучательной рекомбинации в нем невелика. <...> Эффективность (квантовый выход) SiCсветодиодов будет на три-четыре порядка меньше, чем в прямозонных полупроводниках. <...> При этом ширина запрещенной зоны зависит от политипа и изменяется от 2,39 эВ для 3С-SiC до 3,3 эВ для 2Н-SiC. <...> Большая энергия связи атомов в SiC приводила к высоким температурам роста (> 2000о управляемо получать эпитаксиальные слои SiC как n- , так и pтипа проводимости, то есть SiC pn-структуры. <...> В 1970 году Ю.А.Водаков и Е.И.Мохов для выращивания эпитаксиальных слоев SiC предложили сублимационный сандвич-метод слои на подложке росли при ее сближении с источником паров. <...> Выяснилось, что добавление некоторых примесей либо изменение соотношения Si/C в зоне роста может привести к тому, что политип растущего эпитаксиального слоя будет иным, чем у подложки <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт