Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs

InGaAs MOCVD диэлектрическая проницаемость эпитаксия коэффициент поглощения зона Бриллюэна расчет экспериментальные данные.

Диагностика релятивистского плазменного сгустка по тормозному излучению, Нейтронный выход из горячей дейтериевой плазмы, ...

88 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5 Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs <...> Н. И. Яковлева, А. В. Никонов Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, MOCVD, диэлектрическая проницаемость, эпитаксия, коэффициент поглощения, зона Бриллюэна, расчет, экспериментальные данные. <...> Спектральные характеристики токовой чувствительности фотоприемных устройств на основе InGaAs показывают, что на сегодняшний день это лучший материал коротковолнового ИК-диапазона спектра для приборов ночного видения и волоконно-оптических линий связи [4]. <...> Тройные соединения InGaAs имеют ширину запрещенной зоны от 0,35 эВ (3,5 мкм) для InAs до 1,43 эВ (0,87 мкм) для GaAs. <...> Изменяя состав раствора поглощающего слоя InGaAs, можно достичь максимума токовой чувствительности для желаемой длины волны при высоком отношении сигнал/шум. зам. зав. <...> Статья поступила в редакцию 15 марта 2016 г. Яковлева Н. И., Никонов А. В., 2016 ние и расчет спектральной зависимости коэффициента поглощения для эпитаксиальных слоев InGaAs, а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Исследуемые структуры Исследуемые гетероэпитаксиальные структуры InGaAs выращивались эпитаксией из разрежённой смеси газов металлорганических соединений (МОСГЭ) при их термическом разложении и осаждении на нагретую подложку. <...> Известно, что основные трудности при выращивании ГЭС InGaAs методом МОСГЭ связаны <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт