Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs

InGaAs MOCVD диэлектрическая проницаемость эпитаксия коэффициент поглощения зона Бриллюэна расчет экспериментальные данные.

Методы измерения вольт-амперных характеристик фотодиодов в многорядном ИК-фотоприемнике, Исследование модификации поверхности микрочастиц меламин-формальдегида (MF-R) в комплексной плазме, ...

88 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5 Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs <...> Н. И. Яковлева, А. В. Никонов Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, MOCVD, диэлектрическая проницаемость, эпитаксия, коэффициент поглощения, зона Бриллюэна, расчет, экспериментальные данные. <...> Спектральные характеристики токовой чувствительности фотоприемных устройств на основе InGaAs показывают, что на сегодняшний день это лучший материал коротковолнового ИК-диапазона спектра для приборов ночного видения и волоконно-оптических линий связи [4]. <...> Тройные соединения InGaAs имеют ширину запрещенной зоны от 0,35 эВ (3,5 мкм) для InAs до 1,43 эВ (0,87 мкм) для GaAs. <...> Изменяя состав раствора поглощающего слоя InGaAs, можно достичь максимума токовой чувствительности для желаемой длины волны при высоком отношении сигнал/шум. зам. зав. <...> Статья поступила в редакцию 15 марта 2016 г. Яковлева Н. И., Никонов А. В., 2016 ние и расчет спектральной зависимости коэффициента поглощения для эпитаксиальных слоев InGaAs, а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Исследуемые структуры Исследуемые гетероэпитаксиальные структуры InGaAs выращивались эпитаксией из разрежённой смеси газов металлорганических соединений (МОСГЭ) при их термическом разложении и осаждении на нагретую подложку. <...> Известно, что основные трудности при выращивании ГЭС InGaAs методом МОСГЭ связаны <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт