РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Журнал структурной химии/2015/№ 3/
В наличии за
300 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ″ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ″ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны ″из первых принципов″ полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных CdLβ2,15-, GaKβ2- и SeKβ2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Том 56, 3 УДК 621.315.592 ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ″ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ А.А. <...> Хижун3 1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия E-mail alavrentyev@dstu.edu.ru Статья поступила 19 января 2014 г. Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны ″из первых принципов″ полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. <...> Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. <...> В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). <...> Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных CdLβ2,15-, GaKβ2- и SeKβ2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4. <...> DOI: 10.15372/JSC20150315 Ключевые слова: электронная структура, дефектный халькопирит, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры. <...> ВВЕДЕНИЕ Полупроводниковое соединение CdGa2Se4 кристаллизуется в структуре дефектного халькопирита и является очень перспективным материалом для применения в разнообразных устройствах нелинейной оптики в качестве гиротропных сред, узкополосных оптических фильтров и т.п. <...> По сравнению со структурой идеального халькопирита (например, AgGaSe2) в соединении CdGa2Se4 атомы Ga1 занимают половину позиций атомов Ga в AgGaSe2, а атомы Ga2 — половину позиций Ag в AgGaSe2, в то время как атомы <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014