ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ″ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ″ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

электронная структура дефектный халькопирит плотности электронных состояний рентгеновские спектры.

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА КОМПЛЕКСОВ КОБАЛЬТА [Co(CO)4GeCl3 И Co[Ge(C6H5)3](CO)3[P(C6H5)3], SUBSTITUENT EFFECTS ON THE ABSORPTION AND VIBRATIONAL SPECTRA OF SOME 2-HYDROXY SCHIFF BASES: DFT/TDDFT, NATURAL BOND ORBITAL AND EXPERIMENTAL STUDY, ...

Том 56, 3 УДК 621.315.592 ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТНОГО ХАЛЬКОПИРИТА CdGa2Se4 ПО ДАННЫМ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ″ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ А.А. <...> Хижун3 1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия E-mail alavrentyev@dstu.edu.ru Статья поступила 19 января 2014 г. Модифицированным методом присоединенных плоских волн (ППВ) по программе WIEN2k рассчитаны ″из первых принципов″ полные и парциальные плотности электронных состояний всех компонентов CdGa2Se4. <...> Результаты ППВ-расчета свидетельствуют о том, что в соединении CdGa2Se4 наибольший вклад в валентную зону осуществляют Seр-состояния — их вклад максимальный у потолка валентной зоны, а у дна зоны проводимости преобладают вклады Gas*-состояний. <...> В CdGa2Se4, согласно результатам теоретического ППВ-расчета, существенный вклад в валентную зону осуществляют также электронные Cdd- и Gap-состояния (с преимущественным их вкладом у дна и в верхней части зоны соответственно). <...> Совмещение в единой энергетической шкале рентгеновских эмиссионных CdLβ2,15-, GaKβ2- и SeKβ2-полос, а также рентгеновского фотоэлектронного спектра валентных электронов, полученных для монокристаллов CdGa2Se4, свидетельствует о хорошем согласии полученных в нашей работе теоретических и экспериментальных данных относительно особенностей электронного строения соединения CdGa2Se4. <...> DOI: 10.15372/JSC20150315 Ключевые слова: электронная структура, дефектный халькопирит, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры. <...> ВВЕДЕНИЕ Полупроводниковое соединение CdGa2Se4 кристаллизуется в структуре дефектного халькопирита и является очень перспективным материалом для применения в разнообразных устройствах нелинейной оптики в качестве гиротропных сред, узкополосных оптических фильтров и т.п. <...> По сравнению со структурой идеального халькопирита (например, AgGaSe2) в соединении CdGa2Se4 атомы Ga1 занимают половину позиций атомов Ga в AgGaSe2, а атомы Ga2 — половину позиций Ag в AgGaSe2, в то время как атомы <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт