ЭФФЕКТЫ БЛИЗОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ЛИТОГРАФИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ∗

фотонные кристаллы электронно-лучевая литография наноструктурирование.

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ К ВАРИАЦИИ ЗАПАЗДЫВАНИЯ СИСТЕМ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ КОМПЕНСАТОРОМ, ВКЛЮЧЕ¨ННЫМ ПО СХЕМЕ СМИТА, ТЕКУЩЕЕ ОЦЕНИВАНИЕ ПРОИЗВОДНОЙ НЕСТАЦИОНАРНОГО ПРОЦЕССА НА ОСНОВЕ РЕКУРРЕНТНОГО СГЛАЖИВАЮЩЕГО СПЛАЙНА, ...

52, 3 УДК 538.971, 538.958 ЭФФЕКТЫ БЛИЗОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ЛИТОГРАФИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ <...> Пирогова, 2 E-mail: rodyakina@isp.nsc.ru Рассмотрены эффекты близости при формировании фотонных кристаллов в виде упорядоченных массивов однородных по размеру отверстий радиусом 100 нм методами электронно-лучевой литографии. <...> Экспериментально определены коэффициенты функции близости, характеризующей вклад обратнорассеянных и вторичных электронов в дозу экспонирования. <...> Показано, что минимальное стандартное отклонение от среднего значения радиуса элементов в массиве достигается коррекцией эффекта близости с использованием коэффициентов, полученных экспериментально, и итерационного уравнения с увеличенным вкладом от обратнорассеянных электронов. <...> Для создания фотонных кристаллов упорядоченные по форме и размеру наноструктуры с малыми периодами формируются с помощью электронно-лучевой литографии с последующим травлением через маску в резисте [2]. <...> Взаимодействие электронов с образцом приводит к уширению области поглощения энергии от рассеянных электронов по сравнению с заданной зоной экспонирования. <...> Следствием этого является эффект близости (ЭБ), влияющий на однородность отверстий по форме и размеру. <...> Наиболее точное решение данной проблемы — коррекция дозы экспонирования [5, 6], которая устанавливается с учётом влияния ЭБ так, чтобы при проявлении все структуры были одинакового размера. <...> В электронно-лучевой литографии ЭБ в первом приближении Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект 14-22-00143). <...> (1) Функция близости — это распределение энергии экспонирования, поглощённой в резисте на единицу площади, где первое слагаемое — вклад от первичных электронов, а второе — от отражённых электронов; коэффициенты α — размер первичного пучка с учётом рассеяния его в резисте при прямом прохождении, β — характерный размер области рассеяния электронов в материале подложки <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт