Радиационно-стойкие микросхемы от компании «Миландр»

Радиационно-стойкие микросхемы

Два подхода к проведению соединений в плоских конструктивах, Применение многопортового векторного анализатора цепей в формате PXI для быстрого и точного анализа электрических цепей, ...

70 компоненты радиационно-стойкие Радиационно-стойкие микросхемы от компании «Миландр» Сергей ШУМИЛИН shumilin.sergei@milandr.ru Павел ЛЕОНОВ leonov.pavel@milandr.ru В статье представлены основные результаты, полученные компанией ЗАО «ПКК Миландр» в области разработки радиационно-стойких микросхем, а также рассмотрены основные подходы к их созданию. <...> Это во многом определяет актуальность тематики радиационных эффектов в материалах электронной техники, радиационно-индуцированной деградации полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и определения показателей надежности и радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения космического пространства. <...> Ионизирующее излучение (ИИ) приводит к различным нежелательным эффектам в интегральных схемах (ИС), наиболее существенными из которых считаются: • параметрические отказы вследствие деградации электрических характеристик элементов ИС по мере накопления дозы ИИ (Total Ionizing Doze, TID); • одиночные обратимые эффекты, основными из которых считаются изменения логических состояний элементов ИС и ячеек памяти микросхем запоминающих устройств (Single Event Upset, SEU), эффекты переходного процесса (Single Event Transients, SET), эффекты функционального прерывания (Single Event Functional Interrupts, SEFI); • одиночные отказы, основной причиной которых считается эффект тиристорной защелки (Single Event Latch-up, SEL). <...> Причинами деградации электрических характеристик интегральных схем при воздействии накопленной дозы становится образование радиационно-индуцированного заряда в диэлектрических структурах (поверхностные радиационные эффекты) и радиационных дефектов внутри кристаллической структуры (объемные структурные повреждения), что приводит к возрастанию токов утечки, сдвигу порогового напряжения и снижению удельной крутизны МОП-транзисторов. <...> Радиационно-индуцированные утечки в КМОП, выполненных по технологии КНИ («кремний на изоляторе»), возникают <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт