Зондовые измерения эффекта Холла в анизотропных пластинах и пленках

анизотропный полупроводник; ЭДС Холла; двухзондовый метод.

Маршрут автоматизированного проектирования устройств формирования и обработки сигналов для спутниковых навигационных систем, Выбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопии, ...

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 537.311.322 Зондовые измерения эффекта Холла в анизотропных пластинах и пленках <...> А.А. Заворотний, В.В. Филиппов Липецкий государственный педагогический университет Probe Measurement of Hall Effect in Anisotropic Semiconductor Finite Size Plates A.A. <...> Filippov На основе математической модели теоретически обоснованы зондовые измерения коэффициента Холла в прямоугольных анизотропных полупроводниковых пластинах. <...> Зондовые методики измерений ЭДС Холла весьма удобны при практических исследованиях полупроводников. <...> Однако отсутствует методика для зондового измерения эффекта Холла в анизотропных образцах. <...> Рассмотрим анизотропный образец прямоугольной формы длиной a и шириной b, вырезанный под углом к главным направлениям тензора электропроводимости, расположенный в поперечном относительно слабом магнитном поле (рис. <...> Согласно теоретическим результатам работ [3, 4] найдем разность потенциалов Hε (ЭДС Холла) А.А. Заворотний, В.В. Филиппов, 2015 Рис. <...> Расположение токовых (1, 2) и измерительных (3, 4) контактов на образце Известия вузов. <...> 1 2 xx yy 2 xy , n Ряд в (1) сходится достаточно хорошо, и при вычислениях величины Q с погрешностью расчета не более 1% достаточно ограничиться первыми n 50 слагаемыми. <...> Влияние возникающего в анизотропных полупроводниках поперечного напряжения анизотропии [3, 4] и неэквипотенциальности положения зондов 3, 4 на результаты измерений можно исключить, определяя ЭДС Холла как разность напряжений между зондами в магнитном поле и при его отсутствии: ε U34 UB H <...> 0 Рассмотрим теоретическую зависимость множителя Q от относительного расстояния 2l/b между измерительными зондами при различных углах анизотропии на примере двух анизотропных монокристаллов A2B5: CdAs2 ( и контакты имеют следующие параметры: ) и ZnAs2 (2 1 10 a b 1,5; 2 2 1 4 1 4 c 0,1b; a0 0,5 b0 0,5 <...> При сильной анизотропии (такой, как у ZnAs2 <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт