Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния

карбид кремния; дислокационная структура; ростовые дефекты.

Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ, Проектирование многоэлементного теплового приемника инфракрасного излучения, ...

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния <...> Petersburg На основании зарубежных литературных источников последних лет и с учетом опыта авторов просуммированы наиболее важные сведения о дефектах в карбиде кремния, причинах их появления и свойствах, о современном уровне исследований дефектов и их влиянии на приборные характеристики. <...> В настоящее время коммерчески доступны монокристаллические слитки карбида кремния данных политипов большого размера (до 100 мм в диаметре). <...> Выращенные слитки, как правило, характеризуются развитой дефектной структурой, включающей в первую очередь дислокации, микропоры, дефекты упаковки, политипные включения, малоугловые границы и т.д. <...> Такие затравки в англоязычной литературе называются «off-cut», а точно вырезанные затравки «on-cut». <...> Тем не менее в ряде работ для улучшения дефектной структуры и подавления тех или иных дефектов в слитках карбида кремния исследовались возможности ориентаций, отличных от базисной: <...> [1120][0001], позволяет полностью устранить микропоры и дефекты упаковки, а 226 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 3 2015 Дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> Известно, что дислокации в тетраэдрически плотноупакованных кристаллах наиболее легко скользят в плоскости (0001) (основной системой скольжения является система a/3 0211 (0001)). <...> Высокие значения потенциала ПайерлсаНабарро в таких кристаллах приводят к тому, что линии дислокаций, как правило, ориентированы вдоль плотноупакованных направлений 0211 . <...> Идеальные дислокационные петли в таких материалах имеют гексагональную форму, при этом сегменты являются 60-градусными или чисто винтовыми дислокациями. <...> Диссоциация полной дислокации на пару частичных дислокаций (головной и замыкающей) с возникновением дефекта упаковки между ними [11] осуществляется по следующей реакции: 1/3 21 10 1/3 0011 +1/31010 . <...> Дислокации <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт