Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния

карбид кремния; дислокационная структура; ростовые дефекты.

Проектирование многоэлементного теплового приемника инфракрасного излучения, Реализация высокоскоростных цифровых фильтров высоких порядков на основе новых поколений FPGA, ...

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния <...> Petersburg На основании зарубежных литературных источников последних лет и с учетом опыта авторов просуммированы наиболее важные сведения о дефектах в карбиде кремния, причинах их появления и свойствах, о современном уровне исследований дефектов и их влиянии на приборные характеристики. <...> В настоящее время коммерчески доступны монокристаллические слитки карбида кремния данных политипов большого размера (до 100 мм в диаметре). <...> Выращенные слитки, как правило, характеризуются развитой дефектной структурой, включающей в первую очередь дислокации, микропоры, дефекты упаковки, политипные включения, малоугловые границы и т.д. <...> Такие затравки в англоязычной литературе называются «off-cut», а точно вырезанные затравки «on-cut». <...> Тем не менее в ряде работ для улучшения дефектной структуры и подавления тех или иных дефектов в слитках карбида кремния исследовались возможности ориентаций, отличных от базисной: <...> [1120][0001], позволяет полностью устранить микропоры и дефекты упаковки, а 226 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 3 2015 Дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> Известно, что дислокации в тетраэдрически плотноупакованных кристаллах наиболее легко скользят в плоскости (0001) (основной системой скольжения является система a/3 0211 (0001)). <...> Высокие значения потенциала ПайерлсаНабарро в таких кристаллах приводят к тому, что линии дислокаций, как правило, ориентированы вдоль плотноупакованных направлений 0211 . <...> Идеальные дислокационные петли в таких материалах имеют гексагональную форму, при этом сегменты являются 60-градусными или чисто винтовыми дислокациями. <...> Диссоциация полной дислокации на пару частичных дислокаций (головной и замыкающей) с возникновением дефекта упаковки между ними [11] осуществляется по следующей реакции: 1/3 21 10 1/3 0011 +1/31010 . <...> Дислокации <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт