▲ наверх
РУАЭСТ (RUAEST)
РУ
сскоязычный
А
рхив
Э
лектронных
СТ
атей периодических изданий
Главная
Расширенный поиск ИСА
Расширенный поиск
О проекте
Контакты
Вход
|
Регистрация
Запомнить меня
Восстановить пароль
Войти
Найти!
Продвинутый поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
/2015/
№ 3
Купить весь выпуск
Известия высших учебных заведений. Электроника - 2015 - №3
Статьи из номера
Особенности функционализации поверхности однослойного и мультислойного графена при окислении под действием ультрафиолетового облучения
Локальное электрохимическое осаждение пермаллоя на кремниевые пластины с магниторезистивными наноструктурами
Математическая модель излучателя электронной системы радиочастотной идентификации
Использование кода Хэмминга для исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти в аппаратуре космического назначения
Сравнительный анализ погрешности аппроксимации спектров излучения светодиодов различными функциями
Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур
Автогенератор СВЧ с низким уровнем фазового шума
Реализация высокоскоростных цифровых фильтров высоких порядков на основе новых поколений FPGA
Схема управления питанием носимого прибора наблюдения
Проектирование многоэлементного теплового приемника инфракрасного излучения
Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей
КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi
Методика расчета тепловых характеристик кремниевых ограничителей напряжения в импульсном режиме
Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния
Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ