Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем
Рассмотрены особенности приборно-технологического моделирования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 621.3.049.77
Моделирование характеристик и оптимизация
конструктивно-технологических параметров
интегральных магниточувствительных элементов
в составе микро- и наносистем <...> А.В. Козлов, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Characteristics Simulation and Optimization
of Constructive and Technological Parameters
of Integrated Magnetosensitive Elements
in Micro- and Nanosystems
A.V. <...> Chaplygin
National Research University of Electronic Technology, Moscow
Рассмотрены особенности приборно-технологического моделирования
интегральных магниточувствительных элементов в составе
микро- и наносистем. <...> Представлены результаты моделирования и
оптимизации конструктивно-технологических параметров для
магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла,
формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика
Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов
магнитного поля. <...> Ключевые слова: интегральные магниточувствительные элементы;
магниточувствительные транзисторы; интегральные элементы Холла; приборнотехнологическое
моделирование. <...> The results of the simulation and optimization of the integrated
magnetosensitive elements as a part of micro- and nanosystems have been
considered. <...> The results of the simulation and optimization of the constructive –
technological parameters for magnetosensitive transistors, Hall integrated
elements, formed within the CMOS technology standards and the field Hall
sensor based on the SOI technology as well as the characteristics of magnetic
field concentrators have been presented. <...> Keywords: integrated magnetosensitive elements; magnetosensitive transistors;
integrated Hall elements; process and device simulation. <...> Одно из важных направлений научно-технических исследований в области
создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной
техники – разработка и использование методов приборно-технологического
А.В. Козлов, А.Ю. Красюков, Т.Ю. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин, 2015
Известия вузов. <...> В состав микро-
и наносистем входят не только элементы и блоки цифровой обработки сигналов, изготавливаемые
по интегральной технологии, но и интегральные чувствительные
элементы, преобразующие входную информацию в электрический сигнал <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: