Развитие технологий магнитополупроводниковых микросистем

анизотропный магниторезистивный эффект; гигантский магниторезистивный эффект; магниторезистивная наноструктура; магнитополупроводниковая микросистема; тонкопленочная технология.

Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных, Интеллектуальная система и электронные компоненты для контроля потребления тепловой энергии, ...

Сауров1,5 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 3ФГКУ «Войсковая часть 68240» (г. Москва) 4Институт проблем управления им. <...> Trapeznikov Institute of control sciences of Russian Academy of Sciences, Moscow 5INME RAS, Moscow Представлены результаты развития технологий магнитополупроводниковых микросистем на основе многослойных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур. <...> Дан краткий обзор основных достижений в области создания магнитометрических приборов на основе анизотропного и гигантского магниторезистивных эффектов. <...> Ключевые слова: анизотропный магниторезистивный эффект; гигантский магниторезистивный эффект; магниторезистивная наноструктура; магнитополупроводниковая микросистема; тонкопленочная технология. <...> The results of the development of technologies for magnetic semiconductor chips based on thin-film magnetoresistive multilayer nanostructures are presented. <...> A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effect is made. <...> Keywords: anisotropic magnetoresistive effect; giant magnetoresistive effect; magnetoresistive nanostructure; magneto-semiconductor microsystem; thin film technology. <...> К уникальным характеристикам элементов на основе магниторезистивных наноструктур следует отнести неограниченное число циклов перезаписи для запоминающих элементов, широкий температурный диапазон работы, радиационную стойкость, высокие чувствительность и быстродействие [1]. <...> Наиболее распространен анизотропный магниторезистивный (АМР) эффект, который проявляется в зависимости величины сопротивления ферромагнитной пленки от угла между вектором ее намагниченности и направлением тока через нее. <...> С открытием нескольких типов гигантского магниторезистивного (ГМР) эффекта, многократно превышающего АМР эффект, в настоящее время интенсивно развиваются новые технологии для новых магнитополупроводниковых приборов и устройств с более широкими функциональными возможностями. <...> Наибольший практический интерес представляют две разновидности ГМР эффекта: спин-вентильный магниторезистивный (СВМР) и спин-туннельный <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт